电气电子工程师学会举办的第61届国际可靠性物理会议（International Reliability Physics Symposium, IRPS）于2023年3月26日至3月30日于美国加州蒙特雷（Monterey, California, U.S.）举行。该会议微电子可靠性领域的国际顶级会议，旨在通过提高对失效物理与应用环境的理解来了解半导体器件、集成电路和微电子系统的可靠性。

武怡珊同学代表上海交通大学新兴存储与低功耗计算实验室进行了口头汇报与墙报展示。汇报题为“Double-sided Row Hammer Effect in Sub-20 nm DRAM: Physical Mechanism, Key Features and Mitigation”（第一作者：周龙达），研究了在20 nm以下DRAM中行锤效应(row hammer effect）的物理机制与关键特征，并从工艺优化的角度提出了缓解行锤效应的措施。

墙报展示主题为“Towards the understanding of ferroelectric-intrinsic variability and reliability issues on MCAM”（第一作者：武怡珊），探索了铁电晶体管（FeFET）的涨落性问题与可靠性问题对基于FeFET的多比特内容可寻址存储器(MCAM)阵列性能的影响，为FeFET的制造与阵列操作方式的优化提供了参考。两篇文章的通讯作者为上海交通大学纪志罡教授与任鹏鹏副教授。