由中国电子学会电子设计自动化委员会主办，集成电路设计自动化产教融合联盟、南京市江北新区管理委员会承办的“2022 第四届集成电路EDA 设计精英挑战赛” 吸引了来自海内外81所高校 457 支参赛队报名参赛。历经四个月的时间，本课题组成员设计的题为“面向 TCAD 仿真的通用器件模型算法和实现” 在一众参赛队伍中脱颖而出，喜获一等奖的好成绩。

根据赛题要求，参赛小组创新性地提出了嵌入 MVS 因子结合ANN 神经网络的算法模型，以提高各工艺参数的学习效果。在后摩尔时代，晶体管已发展为立体结构，并且向新材料，新原理持续发展。在研发新器件和新工艺时，TCAD 仿真是重要工具。但随着工艺节点的推进，新的物理效应如量子效应和弹道输运开始变得显著，在 TCAD 仿真中需要加入更多的物理模型。并且随着结构的复杂化，器件需要进行三维仿真，进一步大幅增加了 TCAD 仿真所需的时间，延长了工艺优化所需的时间。另一方面，先进器件电学特性的建模难度也在增加，如何快速，准确地建立器件模型，并用于电路仿真，是一个值得研究的问题。

经验证，团队提出的算法对不同技术节点的器件均可以达到较高的预测准确率， 具有很高的通用性，能够协助加速工艺优化和研发。