半导体器件可靠性领域顶级会议IEEE International Reliability Physics Symposium（IRPS）一直是国际上工程师和科学家在集成电路可靠性领域展示原创工作的首演会议，吸引来自美国、欧洲、亚洲和世界其他地区的参与者，通过对失效物理和应用环境的分析，了解半导体器件、集成电路和微电子系统的可靠性。

近日，本课题组在IEEE International Reliability Physics Symposium（IRPS）上发表两篇成果，一篇邀请报告。其中任鹏鹏副教授，硕士研究生刘勇同学在IEEE International Reliability Physics Symposium（IRPS）上发表题为“New Insight into the Aging Induced Retention Time Degradation of Advanced DRAM Technologies”文章，通讯作者为纪志罡教授；博士研究生王达同学在IEEE International Reliability Physics Symposium（IRPS）上发表题为“Characterization and Modelling of Hot Carrier Degradation in pFETs under Vd>Vg Condition for sub-20nm DRAM Technologies”文章，纪志罡教授，任鹏鹏副教授为共同通讯作者。纪志罡教授在IEEE International Reliability Physics Symposium（IRPS）上受邀发表题为“Towards the Characterization of Full ID-VG Degradation in Transistors for Future Analog Applications”的邀请报告。

博士研究生王达同学在IRPS上发表的“Characterization and Modelling of Hot Carrier Degradation in pFETs under Vd>Vg Condition for sub-20nm DRAM Technologies”文章，纪志罡教授，任鹏鹏副教授为共同通讯作者。这篇文章使用sub-20nm技术制备的pfet器件，研究了|Vg|<|Vd|条件下热载流子应力退化情况。确定了两种类型的缺陷：界面态缺陷（正电荷的形成）和氧化层电子缺陷（负电荷的积累），并探究了其对应的能级和空间位置和迁移率退化及恢复的现象。最后，提出了一种基于缺陷的阈值电压退化和迁移率退化的模型，这使得可预测老化后全IV曲线变化情况。因此，这项工作为未来DRAM外围电路中的器件/电路协同优化铺平了道路。

任鹏鹏副教授，硕士研究生刘勇同学在IRPS上发表的“New Insight into the Aging Induced Retention Time Degradation of Advanced DRAM Technologies”文章，纪志罡教授为通讯作者。这篇文章基于DRAM阵列存储器件在长期读/写操作下晶体管漏电增加引起的数据保持时间退化的行为，通过建立漏电统计模型和蒙特卡洛方法来预测数据保持时间的“静态”和不同工作时间下的“动态”分布。首次通过晶圆级的加速老化测试方法建立统计性预测模型，为评估数据保持时间提供了一个简单的方法，为后期的封装节约了成本。