铁电存储器具有高速读写以及低功耗等优势，成为最有发展潜力的新型存储器之一。

当前，基于氧化铪锆薄膜开发的铁电存储器具有与CMOS工艺兼容的优势，但是激发铁电所需的温度过高，无法在后端工序（BEOL）中兼容。本工作开发了8nm的氧化铪/氧化锆超晶格叠层，并通过电极应力优化的方法，在低温下实现高铁电性、高读写次数的存储功能。该工作突破了现有技术的制约，被国际电子器件领域顶级刊物IEEE Electron Device Letters录用。