随着集成电路制造工艺逐渐通近原子层极限以及MOSFET 尺寸的持续微缩，器件参数的变化对芯片性能的影响日益增强。芯片工作期问持续受到外部激励影响，会使得底层器件的电学参数逐渐漂移，引发严重的可靠性问题。

纪志罡教授分析可靠性问题

纪志罡教授分享了集成电路可靠性的核心挑战、物理级机理以及平台部实践，探索先进工艺下以最小的PPA代价获取尽可能大Reliability收益的途径。会后，纪志罡教授与相关工作人员继续讨论交流。